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价格电议
KRI 射频离子源 RFICP 380 特性：
1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
2. 离子源结构模块化设计
3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
4. 全自动控制器
5. 离子束动能 100-1200eV
6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用
射频离子源 RFICP 380 技术规格：
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阳极 |
电感耦合等离子体 |
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阳极功率 |
>1kW |
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离子束流 |
> 1000mA |
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电压范围 |
100-1500V |
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离子束动能 |
100-1200eV |
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气体 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-50sccm |
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压力 |
< 0.5mTorr |
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离子光学, 自对准 |
OptiBeamTM |
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离子束栅极 |
38cm Φ |
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栅极材质 |
钼或石墨 |
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离子束流形状 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
38.1 cm |
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直径 |
58.2 cm |
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锁紧安装法兰 |
12”CF |
上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.